半導体

半導体

半導体はあらゆる電子機器に不可欠な構成要素であり、現代のデジタル社会の基盤となっています。今日の半導体産業では、ビッグデータ、IoT/IIoT、自動運転車、5Gの普及を背景に、かつてないほど高い需要が寄せられています。 

次世代技術への移行の加速や、ロジックおよびメモリ（3D NAND、DRAM）の両方におけるデバイスアーキテクチャの変更に伴い、各デバイス内に原子レベルの精密な微細構造を形成するためには、高度な制御が求められます。デバイス技術は、低消費電力、高速化、小型のフォームファクタの要件を満たすために絶えず進化を続けています。

Cometは、真空キャパシタおよびRFインピーダンスマッチングネットワークの市場リーダーであり、RF電力供給システムの垂直統合型メーカーとしても唯一の存在です。当社は、主要なすべての半導体用途に必要な精密なプラズマ性能を実現し、高収率で高品質なウェハーの製造を可能にする高度でインテリジェントな電力制御を提供します。

Cometでは、お客様をビジネスの中心に据えています。お客様の目標と目的をあらゆる活動の最優先事項に掲げ、究極のカスタマーエクスペリエンスの創造に取り組んでいます。

成膜は、ウェハーの表面に薄膜を堆積させるプロセスであり、使用する材料は導電性と絶縁性のいずれの場合もあります。

プラズマ化学気相成長（PECVD）や物理気相成長（PVD）などの主要な成膜プロセスでは、プラズマが使用されます。これらのプロセスでは、RF電源とマッチングネットワークを使用してプラズマを励起および制御し、優れた結果をもたらします。

プラズマを利用した成膜プロセスでは、低温かつ高い成膜速度が使用されます。適切に制御されたプラズマプロセスにより、高品質で均一な膜の成膜と構造が可能になります。これにより、デバイス製造の高収率が実現します。

当社は、最先端の現在技術および将来の新しい世代の複雑な半導体プロセスに向けて、精密な電力制御を備えた信頼性と再現性の高いソリューションを提供します。

エッチングは、ウェハーの表面から不要な材料を選択的に除去して所望のパターンを形成するプロセスです。金属を除去するプロセスはコンダクターエッチングと呼ばれ、絶縁材料を除去するプロセスは誘電体エッチングと呼ばれます。Cometは、両方のタイプのエッチング用途に対して、独自かつ実現可能なソリューションを提供します。

現代のIC製造において、実質的にすべてのエッチングプロセスはプラズマを用いて行われます。ほとんどのプラズマアプリケーションでは、プラズマを励起および制御するためにRF電源ジェネレータとマッチングネットワークが使用されます。過去30年間で、プラズマプロセスのレシピステップ数とその複雑さは大幅に増加しました。高アスペクト比（HAR）のパターンにおいて、エッチングプロセスでは、下層の材料を除去することなく、高く微細な形状の特性を作り出すために、プロセスのすべてのステップで精密な制御が求められます。 

Cometには、これらの極めて困難な原子レベルのプロセスに関する豊富な実績があり、当社の技術により先進的なプラズマ制御テクノロジーを実現しています。

当社は、幅広い周波数と電力のラインナップを取り揃え、カスタマイズされた、制御された、一貫性のあるRF電力供給システムを構築できます。これにより、お客様はプラズマ性能を精密に制御することができ、高収率および高品質なウェハーにつながります。