新的性能要求使得创新变得至关重要

随着对日益微型化芯片性能提升的需求不断增加，芯片制造商采用刻蚀/沉积 工艺的数量随之增多，这使得工艺速度加快，工艺步骤更加密集且更精细。

十五年前，标准大约是每年100万个循环。如今，基准值已接近每三个月100万个循环，甚至更短。这些年来，驱动转速也有了显著提升：如今需要高达_{1200转/分钟}，而最初仅需180_转/分钟至_{360转/分钟}。

鉴于对匹配网络 在速度和循环次数方面的性能要求不断提高，因此 真空电容，传统真空电容 的使用寿命——该寿命主要取决于波纹管或驱动系统等活动部件的失效时间——已显著缩短。

所需的速度和增加的循环次数对丝杠驱动系统中的所有部件都构成了挑战， 真空电容 ，且由于丝杠和螺母的摩擦与磨损，其使用寿命受到限制。混入润滑剂中的金属颗粒残留物会形成糊状混合物，导致扭矩增大，最终引发故障。扭矩增大还可能导致丝杠卡死，进而导致驱动系统卡死。

对新技术的需求显而易见。