焦点话题。FYNE

2025年9月10日

纳米级检测在先进制造中正变得至关重要。然而,在保持稳定性、速度和长使用寿命的同时实现亚微米级分辨率,仍然是一项挑战。通过FYNE 160 NF4,我们提出了相关策略、数据和结果,展示了X射线检测如何满足这些需求,并为半导体、电子和材料应用开辟了新的道路。

为什么是FYNE ,为什么是现在?

日益提高的技术要求正在推动众多行业向需要更高精度水平的先进制造工艺转型。人工智能、智能制造和微型化的兴起,要求检测工具必须超越现有水平。FYNE 160 NF4正是对这些不断变化的行业需求的回应。 

FYNE 结合了开管 的纳米级分辨率、延长10倍的寿命以及卓越的焦斑稳定性,重新定义了X射线检测的可能。 从材料科学、电子与半导体到医疗和生物领域,FYNE 致力于优化400纳米至1微米波长范围内的分辨率和产能 。FYNE 可提供高输出功率,支持数千小时的不间断使用,无论在生产车间还是实验室中都能游刃有余。

本文将探讨FYNE 160 NF4的主要优势。我们将深入解析FYNE 在分辨率与剂量之间的权衡方面所提供的策略;它如何即使在长时间测量过程中也能保持极高的稳定性;以及它所实现的超长使用寿命如何最大限度地提高运行效率正常运行时间 。 


X射线检测如何推动技术进步

凭借其独特的成像能力,X射线检测系统已在众多行业的质量控制和工艺改进中提供了可付诸实践的洞见。与能够提供详细真实数据(例如FIB-SEM)的破坏性检测技术相比,X射线数据不仅获取速度更快,而且采用非破坏性方式,因此在引入新制造工艺时能带来显著的附加值。 此外,纳米级分辨率与深穿透材料的能力相结合,意味着X射线能够检测复杂的3D物体,揭示其他无损检测技术(如光学检测)无法发现的缺陷。这种平衡关系如图1所示。 

以电子和半导体制造为例,X射线常用于检测焊料凸点,其尺寸范围从约80-100 µm(C4凸点)到10-20 µm(微凸点),而硅通孔(TSV)目前的直径为5-10 µm。 这些部件中的缺陷(如空洞)很容易比物体本身小10倍,这意味着需要具有数十微米至数百纳米分辨率的检测。 此外,预计未来几年所需的检测尺寸将大幅缩小,尤其是随着混合铜键合等新技术日益普及[2]。然而,要同时满足先进工业环境所要求的极高分辨率、成像稳定性和速度,以及长使用寿命和最低维护需求,仍是一项重大挑战。这正是Comet X-ray公司致力于通过FYNE 160 NF4系统来应对的挑战。

图1. 工业应用中采用的三种检测技术的采集时间及特征尺寸。

要表征一个源,需要什么? 

图2展示了我们成像系统的简化示意图。来自光源的X射线穿过样品,由于样品中不同材料产生的吸收对比度,在探测器上形成图像。为了测试光源的分辨率,我们使用了硅基板上不同尺寸的蚀刻金结构。金的X射线吸收率远高于硅,因此在探测器上显得更暗。

该样品安装在一台电子控制的机械臂上,可沿样品表面进行精确移动,从而观察不同尺寸的结构。样品后方安装有一台数字平板探测器,样品的图像会显示在该探测器上。这些组件安装在花岗岩基座上以减少振动,并放置在温度受控的射线防护柜 中。

正是整个组件链——即源、操纵器、样品和探测器——的稳定性,决定了任何X射线系统的分辨率能力。这些组件统称为成像链。 

图2. 在Comet X射线实验室使用FYNE 进行的表征测量实验装置。

在我们的测量中,分辨率是如何定义的?  

空间分辨率反映了成像系统区分两个紧密相邻物体的能力(关于该主题的深入探讨,请参阅我们的“图像背后”专题)。我们在进行分辨率测量时使用标准化的掩模。该掩模由硅基板上的金线组构成,每组金线之间的间距均为固定值。 图3展示了一个0.4 µm结构的示例,从中可以清楚地肉眼辨别出这些线状结构。由于FYNE 光源的焦斑具有对称性,这种清晰的区分在两个轴向上同时实现,这意味着0.4 µm结构已被分辨出来。然而,为了处理那些不太明显的情况,我们需要对分辨率给出一个更严格的定义。 

此类微小结构的分辨率通常是参照金线组之间的区域所达到的调制度来定义的。调制度越大,线条的分辨效果越好。 当模调值过小时,特征便无法被分辨。通常,将模调值在5%至20%之间的范围作为判断结构能否被分辨的标准。图4中的示意性截面图展示了不同尺寸结构的模调值变化情况。 

需要注意的一点是,要实现数百纳米的分辨率,并不需要光源焦斑尺寸也达到同等大小。通过利用光学放大,可以分辨出远小于光源焦斑尺寸的结构。 通过将较短的焦斑到物体距离(FOD)与较大的焦斑到探测器距离(FDD)相结合,可以实现非常高的放大倍率。尽管如此,较小的焦斑仍是实现纳米级分辨率的一项重要要求。 

图3. 一张标准掩模的X射线图像,显示了一个分辨率良好的0.4 µm(400 nm)金结构。

在我们的测量中,剂量是如何定义的?  

X射线剂量既可以指样品所接受的X射线能量,也可以指到达探测器的能量。下文讨论剂量时,我们指的是探测器的灰度值,即X射线转换为电信号后产生的输出信号,并按探测器上的某个区域进行平均所得的值。 

 

“通常,采用5%至20%范围内的调制量来确定何时能分辨出结构。”

图4. 示意图显示了穿过两种不同尺寸线组的线截面。较小结构(上图)中实现的调制度低于较大结构(下图)。因此,较大结构的分辨率更高。如果调制度过低,将无法区分各条线,则该尺寸的结构就无法被分辨出来。

是什么让FYNE 成为如此出色的X射线源?

1a. 具有纳米级分辨率的快速测量——背景

了解纳米尺度成像中分辨率与剂量之间的相互作用,对于确保成像系统的高效运行至关重要。其中存在两种相互竞争的主要效应:电子轨迹和电子穿透能力 。我们将简要说明这种竞争是如何产生的,以及有哪些策略可以应对它。 在X射线管中,电子从发射极射出,在真空环境下受高压加速,并撞击靶材 。电子与靶原子发生碰撞,从而产生X射线[3]。材料内部的三维相互作用区域决定了X射线源的焦斑体积。在较高的加速电压下,由于阳极和阴极之间更强的电场作用,源自发射极的电子轨迹不易扩散。

其结果是到达靶面的电子的横向扩散较小(见图5a),从而减小了焦斑尺寸并提高了分辨率。然而,在较高的加速电压下,电子到达靶面时的动能也更高。 更高的动能会导致电子与钨靶(靶材 )[4]上的原子发生碰撞的平均间隔时间延长。这意味着电子能够更深入地穿透靶材,并通过与靶原子散射而产生额外的横向扩散。结果,焦斑体积增大,极限分辨率降低(见图5a)。这两种效应之间的平衡决定了焦斑的大小。

图5. A) 随着加速电压的增加,到达靶标的电子分布范围减小,同时在靶材 内的穿透能力 深度增加。B) 通过调节靶标厚度,可以选择所需的相互作用体积,从而在特定分辨率下将剂量最大化。

这清楚地表明,靶材厚度在决定X射线相互作用体积(从而决定焦斑尺寸)方面起着重要作用。在较厚的靶材中,电子会向侧面散射到靶材的体积内,且这种散射在较高的加速电压下会增强。体积的增大导致焦斑变大,这虽然会限制分辨率,但出于同样的原因,也能提供更高的剂量。 在较厚的靶材中,分辨率主要受电子在整个三维体积内可能发生的散射所限制。

因此,提高分辨率的一种方法是限制靶材的厚度(见图5B)。这可以减少电子在材料内部发生横向传播的可能性,并限制焦斑体积。这种方法的缺点非常明显:缩小相互作用体积会降低可产生的最大X射线剂量。 

图6. 两种不同配置下,空间分辨率与灰度值随源提取电压变化的关系。X射线管的最佳性能取决于具体应用。

1b. 具有纳米级分辨率的快速测量——示例 

现在,让我们通过两个例子来说明这些效应在实际的FYNE 160 NF4源中的表现。图6展示了两种可能的源配置在可用电压范围(60–160 kV)内的数据。 在第一个示例中,由于使用了较厚的靶材,空间分辨率在整个电压范围内基本保持恒定,约为1.2 µm。然而,到达探测器的剂量在同一范围内波动幅度高达近80%。此外,与使用较薄靶材的第二个示例相比,本例在所有电压点上获得的剂量均更高,且在较高电压下剂量显著更高。 这种配置的缺点在于,不同工作点处的剂量变化剧烈,且最终分辨率受到限制。从上述讨论可以理解,剂量较高和分辨率受限的原因在于:更大的相互作用体积会产生更多的剂量,但也会增加横向焦斑尺寸。因此,这些设置适用于需要在宽电压范围内保持一致分辨率且需要更高X射线通量的应用。 

图6中所示的第二种配置使用的靶片比第一种更薄。在这种情况下,其在整个电压范围内的行为与较厚的靶片截然不同。特别是,分辨率会随着加速电压的变化而发生变化。 

这是因为更强的电场导致靶上的散射范围更小,而这种效应并未被靶内的横向散射所抵消。此处选用的靶旨在在160 kV的特定工作点下,在实现0.4 µm(400 nm)分辨率的同时将剂量最大化。然而,与第一种情况的比较中可以清楚地看到,所获得的总剂量低于较厚靶的情况。 一般而言,更高的空间分辨率意味着X射线通量降低。因此,在规划纳米级成像时,必须充分考虑射源的实际工作点以及应用所需的分辨率,并在满足这些要求的前提下最大限度地提高剂量。若仅追求可达到的最高分辨率,将导致剂量降低;而如果实际并不需要如此高的分辨率,则会导致检测效率的显著下降。

因此,关键要点是:根据应用程序的具体要求对源代码进行优化至关重要——FYNE 提供了这种灵活性。

2. 卓越的焦斑稳定性

鉴于进行亚微米成像测量所需的精度,X射线源也必须具有极高的稳定性,以防止“虚拟”焦斑尺寸过大而无法满足应用需求。 虚拟焦斑是指焦斑尺寸加上测量期间因漂移而产生的位移(取其平均值)之和(见图7)。典型的测量时长可能从二维成像所需的几秒钟,到详细的三维扫描所需的数小时不等。因此,低漂移特性至关重要。 

为了说明FYNE 源的高稳定性,我们进行了为期24小时的漂移测量。在此期间,未对该源进行任何调整或校正。该源、样品操纵器和探测器通过射线防护柜 内的花岗岩块连接,以最大限度地减少振动的影响。为了测定漂移,我们采取了以下步骤。 将一个带有圆形金结构的样品放置在视场中心,并在120 kV的固定工作点下进行成像。时间T时的位置是通过将时间t = T时拍摄的金结构图像减去时间t = 0时拍摄的同一结构图像来确定的。随后,将像素位移转换为X和Y方向上的实空间位移。 测量在整个时间范围内均无需调整,即在整个测量过程中,束流位置未进行任何控制。 

需要注意的是,无法完全区分由焦斑固有漂移引起的图像位移与由成像链其余部分的变化(例如机械支撑件的热平衡或样品的热平衡——样品直接位于光源正前方)引起的漂移。最初有一段时间,整个机械系统处于热平衡状态。 

测量结果汇总如图7所示。该结果反映的是整个成像链的综合稳定性,而不仅仅是焦斑的稳定性。系统热平衡后,Y方向的漂移速度为0.029 µm/小时,而X方向仅为0.012 µm/小时。 因此,在整个测量过程中,焦斑的最大总偏移量低于光源的分辨率(0.4 µm)。与某些替代的开管 设计相比,这些数值小了100倍。考虑到在测量过程中的任何阶段均未采用主动光束稳定技术,如此小的漂移速度实属难得。

图7. 示意图说明了焦斑的漂移如何在测量过程中导致出现较大的虚拟焦斑(右图)。成像链的稳定性测量结果(左图)。阴影区域表示成像链达到热平衡所需的时间。

3. 光源寿命长

由于FYNE 是一种“开放式”X射线源,这意味着可以将其物理打开并进行维护,从而更换关键部件,因此该X射线源的使用寿命在技术上是不受限的。在计算检测系统的总拥有成本时,这一点需要加以考虑,因为闭管 必须定期更换。尽管如此,在检测应用中,最大限度地延长正常运行时间 并减少维护频率至关重要,尤其是在生产环境中用于近线 甚至在线工艺的情况下。 在纳米级成像应用中,电子发射单元是一个特别敏感的组件。在经典的开管 设计中,其使用寿命约为数百小时,尽管具体时长会因工作参数的不同而存在较大差异。例如,假设每天平均运行仅8小时,那么使用寿命为500小时的灯丝就需要每2个月更换一次。延长这一周期对于提高实验室和工业环境中的正常运行时间 都至关重要。 

图8. 为确定该源的寿命,在11个月内进行的分辨率测量。

我们利用图2所示的成像装置进行了寿命测试。所选的测量指标是X和Y方向随时间变化的空间分辨率。在120 kV的工作点下,对一个0.6 µm的结构进行了成像。FYNE 电子束源在整个测试期间持续运行,期间未中断。结果汇总如图8所示。 即使在光源运行超过2600小时后,分辨率也未观察到显著变化。按照前文提到的每天运行8小时的示例计算,这相当于约11个月的免维护运行时间。 当然,决定光源使用寿命的因素众多,且作为评估指标的参数因具体应用而异,无法在此一概而论。然而,这些测量结果凸显了采用FYNE 技术所能达到的光源使用寿命量级:数千小时的不间断运行时间。

要点总结:FYNE

  • X射线检测能够对具有挑战性的样品(直至纳米尺度)提供可付诸行动的洞察,包括先进封装中的关键缺陷。
  • 要充分发挥这些功能,需要对整个成像链进行优化设计,并针对具体应用开发相应的软件和工作流程。 
  • FYNE 提供了针对特定应用程序进行优化的选项。 
  • 我们展示了两种可能配置的结果,它们的特性分别适用于不同的应用场景:一种是通量高的灵活配置,另一种则是专门针对0.4 µm分辨率的配置。  
  • 在任何应用中,对分辨率和剂量采取平衡的处理方式,对于最大限度地提高检测效率至关重要。 
  • 获得了极佳的稳定性,漂移速度低至每小时数十纳米。 
  • 该发射器单元的使用寿命比我们之前的开管 设计长10倍,可连续运行数千小时,且分辨率性能不会下降。 
  • 这些结果表明,FYNE 160 NF4能够应对工业高分辨率成像领域的挑战,包括半导体应用中的挑战,从而为缩短开发周期、提升生产质量开辟了新途径。  

规格

FYNE-160.NF4

HV系列60 至 160 千伏
发射极类型LaB6
最大目标功率6 W *
靶材钨
永久过滤碳
光束角170°
最小对焦物距 300 µm
最大分辨率400 纳米 **
焦斑稳定性    <0.1 µm/h
微焦点 管 W、H、L 164、264、575 毫米
重量28 公斤
HVPS 胜、平、负318、232、741 毫米
重量37 公斤
高压电缆R24 弹簧式连接器
直径29 毫米
弯曲半径,静态/动态58 / 116 毫米
控制面板 宽、高、长697、876、166.5 毫米
* 靶区功率并非剂量的良好指标
** JIMA 或同等标准

参考文献

  1. L. Yee、M. Chui、R. Roberts、M. Isser,《技术趋势展望》,麦肯锡公司,2024年。
  2. J. H. Lau,《混合键合技术的最新进展与展望》,《EEE元件、封装与制造技术汇刊》,2025年
  3. C. 麦克唐纳,《X射线物理、光学及其应用导论》,普林斯顿大学出版社,2017年。
  4. Seah, M. P.; Dench, W. A. (1979),《表面的定量电子光谱学:固体中电子非弹性平均自由程的标准数据库》,《表面与界面分析》,1: 2–11 (1979)

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